今日，長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（X2-6070）研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。

4月13日，長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號： X2-6070）研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存（對比范圍為截至2020年4月13日，全球已公開發布的3D NAND Flash存儲芯片），長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發布的還有128層512Gb TLC規格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。

得益于Xtacking 架構對3D NAND控制電路和存儲單元的優化，長江存儲64層TLC產品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現，上市之后廣受好評。在長江存儲128層系列產品中，Xtacking已全面升級至2.0，進一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps的數據傳輸速率，為當前業界最高。

作為閃存行業的新人，長江存儲通過對技術創新的持續投入，用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。憑借1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量，長江存儲通過X2-6070再次向業界證明了Xtacking架構的前瞻性和成熟度，并確立了在存儲行業的技術創新領導力。

（文中圖片來自網絡）